[发明专利]N型薄膜晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种N型薄膜晶体管的制作方法，在制作过程中采用化学溶液对N型薄膜晶体管的沟道区进行蚀刻，提高所述N型薄膜晶体管的沟道区内的低温多晶硅的表面粗糙度，从而提高所述N型薄膜晶体管的沟道区内的低温多晶硅的表面缺陷浓度，使制得的N型薄膜晶体管的阈值电压向正方向移动，保证制得的N型薄膜晶体管在低电压下能及时关闭，生产效率高，生产成本低。

主权项

1.一种N型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上自下而上依次制备缓冲层(20)与低温多晶硅层(310)，所述低温多晶硅层(310)的表层在空气中被氧化形成氧化硅层(40)；步骤2、在所述低温多晶硅层(310)上涂布光阻层(50)，并采用光罩对其进行曝光、显影后，在所述低温多晶硅层(310)上定义出沟道区(320)；步骤3、采用化学溶液对所述沟道区(320)的低温多晶硅层(310)进行蚀刻，去除所述沟道区(320)上方的氧化硅层(40)，并对沟道区(320)内的低温多晶硅进行蚀刻，提高所述沟道区(320)内的低温多晶硅的表面粗糙度；步骤4、对所述低温多晶硅层(310)进行图案化处理和N型离子掺杂，形成有源层(30)；步骤5、在所述有源层(30)、及缓冲层(20)上自下而上依次制备栅极绝缘层(60)、栅极(70)、及层间绝缘层(80)，采用一道光刻制程对所述栅极绝缘层(60)、层间绝缘层(80)、及氧化硅层(40)进行图形化处理，得到对应于所述有源层(30)两端的两过孔(81)；步骤6、在所述层间绝缘层(80)上形成源/漏极(90)，所述源/漏极(90)通过两过孔(81)与所述有源层(30)的两端相接触。