[发明专利]N型薄膜晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种N型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上自下而上依次制备缓冲层(20)与低温多晶硅层(310)，所述低温多晶硅层(310)的表层在空气中被氧化形成氧化硅层(40)；

步骤2、在所述低温多晶硅层(310)上涂布光阻层(50)，并采用光罩对其进行曝光、显影后，在所述低温多晶硅层(310)上定义出沟道区(320)；

步骤3、采用化学溶液对所述沟道区(320)的低温多晶硅层(310)进行蚀刻，去除所述沟道区(320)上方的氧化硅层(40)，并对沟道区(320)内的低温多晶硅进行蚀刻，提高所述沟道区(320)内的低温多晶硅的表面粗糙度；

步骤4、对所述低温多晶硅层(310)进行图案化处理和N型离子掺杂，形成有源层(30)；

步骤5、在所述有源层(30)、及缓冲层(20)上自下而上依次制备栅极绝缘层(60)、栅极(70)、及层间绝缘层(80)，采用一道光刻制程对所述栅极绝缘层(60)、层间绝缘层(80)、及氧化硅层(40)进行图形化处理，得到对应于所述有源层(30)两端的两过孔(81)；

步骤6、在所述层间绝缘层(80)上形成源/漏极(90)，所述源/漏极(90)通过两过孔(81)与所述有源层(30)的两端相接触。

2.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤3中采用四甲基氢氧化铵水溶液对所述沟道区(320)的低温多晶硅层(310)进行蚀刻。

3.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤3中先采用双氧水对所述沟道区(320)的低温多晶硅层(310)进行氧化处理，之后再采用氟化铵水溶液对所述沟道区(320)的低温多晶硅层(310)进行蚀刻。

4.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述缓冲层(20)、栅极绝缘层(60)、及层间绝缘层(80)的材料均为氧化硅、氮化硅中的一种或多种的堆栈组合。

5.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤4中掺杂的N型离子为磷离子。

6.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述有源层(30)包括位于中间的沟道区(320)和位于所述沟道区(320)两端的N型离子掺杂区(330)。

7.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤1中低温多晶硅层(310)的具体制作过程为：先在所述缓冲层(20)上沉积一层非晶硅，再对非晶硅进行晶化处理，制得低温多晶硅层(310)。

8.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极(70)与源/漏极(90)的材料均为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。