[发明专利]用于银薄层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法和使用其制作阵列基板的方法有效
| 申请号： | 201610080742.9 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105887091B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 权玟廷;安基熏;李昔准 | 申请（专利权）人： | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/30 | 分类号： | C23F1/30;H01L21/3213;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 石宝忠 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于蚀刻银(Ag)或银合金单层，或包括银或银合金单层和氧化铟层的多层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法，和使用其制备用于有机发光显示器(OLED)的阵列基板的方法。当蚀刻银或银合金单层，或包括银或银合金单层和氧化铟层的多层时，蚀刻剂组合物可表现出均匀蚀刻性能，并不伤害下数据线层或产生残渣，并能够阻止银被再吸附到金属线，因此减少缺陷率，从而实现具有高分辨度、大尺寸，和低耗电的有机发光显示器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄层 蚀刻 组合 使用 形成 金属 图案 方法 制作 阵列 | ||
【主权项】：
用于蚀刻银或银合金单层，或包括银或银合金单层和氧化铟层的多层的蚀刻剂组合物，包括：0.2‑5wt％的铁盐，3‑8wt％的硝酸，1‑20wt％的乙酸，0.1‑10wt％的氨基磺酸，和剩余部分的去离子水。
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