[发明专利]MEMS电化学地震检波器敏感电极芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201610079519.2 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105785433A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈德勇;孙振源;王军波;陈健;邓涛;李光磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01V1/18 | 分类号： | G01V1/18;B81B5/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS电化学地震检波器敏感电极芯片及其制造方法，该电极芯片包括一个支撑基板、在该支撑基板的至少一个表面依次排列的N层电极层和位于相邻两个电极层之间的N‑1层绝缘间隔层，M个电极层通孔(31)、M个绝缘间隔层通孔(32)以及M个支撑基板通孔(33)的位置正对，形成电解质溶液的流经通道，该敏感电极的所有绝缘间隔层与电极层集成在同一个硅片上，结构简单，提高了层间对齐精度，简化了加工工艺；绝缘间隔层的厚度可控制为几微米到上百微米，有利于器件性能的调整和优化，电极层与电解质溶液接触的面积大大增加，提高了单片集成式一体化敏感电极芯片的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | mems 电化学 地震 检波器 敏感 电极 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS电化学地震检波器敏感电极芯片，其特征在于，其包括一个支撑基板、在该支撑基板的至少一个表面依次排列的N层电极层和位于相邻两个电极层之间的N‑1层绝缘间隔层，电极层具有M个电极层通孔(31)，绝缘间隔层具有M个绝缘间隔层通孔(32)，支撑基板具有M个支撑基板通孔(33)，M个电极层通孔(31)、M个绝缘间隔层通孔(32)以及M个支撑基板通孔(33)的位置正对，形成电解质溶液的流经通道。
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