[发明专利]MEMS电化学地震检波器敏感电极芯片及其制造方法在审
申请号: | 201610079519.2 | 申请日: | 2016-02-04 |
公开(公告)号: | CN105785433A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 陈德勇;孙振源;王军波;陈健;邓涛;李光磊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | G01V1/18 | 分类号: | G01V1/18;B81B5/00;B81C1/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | mems 电化学 地震 检波器 敏感 电极 芯片 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及地震检波器技术领域,尤其涉及一种MEMS电化学地震 检波器敏感电极芯片及其制造方法。
背景技术
加速度计是一种将外界的加速度转变为电信号的敏感器件,在惯性导 航、地震监测、振动分析以及消费电子中有广泛的应用。常见的类型有传 统机械式加速度计、石英加速度计、MEMS加速度计以及光纤加速度计等, 在这些器件的内部有一个惯性质量块,工作时质量块在惯性力的作用下相 对于器件的固定部件产生位移(或梁结构应力发生改变),通过相关的技 术可将该位移(或应力变化、频移)转变为电信号。
与上述基于固体惯性质量块不同的是,近年来出现的电化学加速度计 以电解质溶液为惯性质量块,其敏感元件由两对对称的电极构成。其中, 每对电极均包含一个阳极和一个阴极,两对电极呈阳极-阴极-阴极-阳极 分布,敏感核心和电解液封装在有机玻璃和橡胶薄膜构成的外壳里。工作 时,在阳极与阴极上施加一个恒定的工作电压,参加反应的离子将建立一 个稳定的浓度分布,在外界加速度的作用下,电解液和敏感电极产生相对 运动,从而改变了两对电极附近反应离子的浓度分布,导致其中一对电极 的电化学反应速率变快,而另一对电极的电化学反应速率变慢,进而使其 中一对电极的输出电流变大,另一对电极的输出电流变小,两对电极输出 电流的差分可以反应外界加速度的大小。已有的电化学加速度计具有高灵 敏度、低噪声、低功耗、大倾角工作能力、不易损坏、设计简单等优点, 已经应用在高性能的地震仪中。
电化学地震检波器是一种地震监测、地质勘探领域中重要的仪器,其 实质是一种电化学加速度计,现有的电化学地震检波器的电极敏感核心由 铂丝网状电极、多孔陶瓷薄片和陶瓷管组装而成,工艺复杂、成本高、电 极一致性差、批量化生产能力差,制约着其使用范围。为了克服传统工艺 方法的缺点,近年来出现了基于MEMS技术的电化学加速度计。MEMS技术 是在微电子技术和硅微加工基础上发展起来的多学科交叉的新技术,具有 微型化、集成化、可批量生产等特点。在新出现的MEMS电化学地震检波 器中,有的方案分别将电极层与间隔层制作出来,然后进行组装,其优点 是单片硅片工艺简单,但是存在层间对齐较差、组装复杂的缺点。有的方 案在一个硅片上完成所有的电极层与间隔层,其优点层间对齐好,缺点是 绝缘层厚度调整的空间很小,在几微米范围内,限制了器件的性能优化, 并且电极层与电解液的接触面积小,灵敏度较低;另外,该技术用FIB技 术刻蚀出多层电极结构的通孔,由于其刻蚀效率慢,因而批量化生产能力 差。
发明内容
(一)要解决的技术问题
为了解决现有技术存在的问题,本发明提供了一种MEMS电化学地 震检波器敏感电极芯片及其制造方法。
(二)技术方案
本发明提供了一种MEMS电化学地震检波器敏感电极芯片,其包括 一个支撑基板、在该支撑基板的至少一个表面依次排列的N层电极层和位 于相邻两个电极层之间的N-1层绝缘间隔层,电极层具有M个电极层通 孔31,绝缘间隔层具有M个绝缘间隔层通孔32,支撑基板具有M个支撑 基板通孔33,M个电极层通孔31、M个绝缘间隔层通孔32以及M个支 撑基板通孔33的位置正对,形成电解质溶液的流经通道。
优选地,绝缘间隔层通孔32的尺寸大于电极层通孔31,电极层靠近 电极层通孔31的边缘部分形成悬空结构,该边缘部分的上和/或下表面暴 露于电解质溶液的流经通道。
优选地,电极层和绝缘间隔层的一侧边缘部分开有引线窗,沿靠近支 撑基板的方向,内层的电极层和绝缘间隔层逐层突出于外层的电极层和绝 缘间隔层,形成台阶式的引线窗结构,电极层的边缘具有焊点34,导线 35通过焊点34连接电极层。
优选地,电极层通孔31、绝缘间隔层通孔32和基板通孔33的形状为 方形、圆形或其他形状。
优选地,该电化学地震检波器敏感电极芯片的电极层为金属铂材料或 者石墨类材料,绝缘间隔层为氮化硅或二氧化硅或有机聚合物,支撑基板 为硅基材料或者石英材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电子学研究所,未经中国科学院电子学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610079519.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。