[发明专利]高温超导结的制备方法及其超导临界电流的计算方法在审
| 申请号： | 201610075176.2 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105702567A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 花涛;许伟伟;王青云;沈卫康;梁瑞宇;包永强 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L39/24 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 邓丽 |
| 地址： | 211167 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高温超导结的制备方法及其超导临界电流的计算方法，高温超导结的制备方法为：在双晶基片上生长一层高温超导薄膜；热蒸发电极；在薄膜上甩上一层光刻胶后烘干；并在光刻过程中，使双晶晶界与掩模板微桥图形呈一定角度倾斜，夹角为θ；紫外线曝光；显影；离子刻蚀；去除光刻胶，制备出高温超导Josephson双晶结。利用本发明优势在于，想要调整高温超导Josephson结的超导临界电流大小，不需要重新制备掩模板、改变微桥宽度，只需要在光刻过程中调整晶界与掩模板上微桥图形的夹角θ，就可以精确控制制备的高温超导Josephson结的超导临界电流大小，且其超导临界电流值可以是在连续数值范围的任意值。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 超导 制备 方法 及其 临界 电流 计算方法 | ||
【主权项】：
一种高温超导结的制备方法，其特征在于，高温超导结的晶界与微桥的夹角为θ，其中，0＜θ≤ 90°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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