[发明专利]高温超导结的制备方法及其超导临界电流的计算方法

权利要求书

1.一种高温超导结的制备方法，其特征在于，高温超导结的晶界与微桥的夹角为θ，其中，0＜θ≤90°。

2.根据权利要求1所述的高温超导结的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）在双晶基片上外延生长一层高温超导薄膜；

（2）热蒸发金或银电极；

（3）在薄膜上甩上一层光刻胶后烘干；

（4）在光刻过程中，使双晶晶界与掩模板上的微桥图形呈一定角度倾斜，夹角为θ；

（5）紫外线曝光；

（6）显影；

（7）离子刻蚀；

（8）去除光刻胶，制备出高温超导Josephson结。

3.根据权利要求1或2所述的高温超导结的制备方法，其特征在于，所述微桥的宽度为0.5μm~15μm。

4.根据权利要求1或2所述的高温超导结的制备方法，其特征在于，所述高温薄膜的厚度为50nm~500nm。

5.一种高温超导结超导临界电流的计算方法，其特征在于，所述高温超导结的晶界与微桥的夹角为θ，其超导临界电流利用如下公式计算：

I_c(θ)=I_c0/(sinθ×sinθ)，0＜θ≤90°；

其中，I_c0=J_c^GB×t×w；

J_c^GB为高温超导薄膜的双晶晶界的超导临界电流密度，t为高温超导薄膜的厚度，w为微桥的宽度。