[发明专利]一种高纯度氟化镁粉体材料的生产方法在审

专利信息
申请号: 201610073775.0 申请日: 2016-02-03
公开(公告)号: CN105776260A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 杨松涛;徐玉江;郭云;胡征 申请(专利权)人: 白银晶科新材料有限责任公司
主分类号: C01F5/28 分类号: C01F5/28
代理公司: 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 代理人: 张真
地址: 730900 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明涉及一种高纯度氟化镁粉体材料的生产方法,包括以下步骤:⑴制备纯化硫酸镁溶液;⑵制备氢氧化镁前驱体;⑶制备氟化镁粉体;⑷制备高纯度氟化镁粉体。本发明以七水硫酸镁为原料,氨水为沉淀剂,合成了高纯度氢氧化镁粉体前驱体,氟素化反应后得到高纯度氟化镁粉体,有效降低了杂质含量,从而解决了现有技术中氟化镁因杂质Al、Ca、Fe、Mn、Ni、Zi含量较多而导致的纯度不高的问题。
搜索关键词: 一种 纯度 氟化 镁粉 材料 生产 方法
【主权项】:
一种高纯度氟化镁粉体材料的生产方法,包括以下步骤:⑴制备纯化硫酸镁溶液:将七水硫酸镁用纯水水解而成质量浓度为20%~30%的硫酸镁水溶液,该硫酸镁水溶液加热至60℃~80℃后加入草酸,搅拌反应3~5 h后过滤,得到滤液;所述滤液中依次加入质量浓度为30%的双氧水、氢氧化钠,并充分搅拌至均匀,经静置沉淀12~24h,抽取上清液,即得纯化硫酸镁溶液;所述草酸的质量为所述硫酸镁水溶液质量的0.5~1.5%;所述双氧水的质量为所述硫酸镁水溶液质量的3%~5%;所述氢氧化钠的质量为所述硫酸镁水溶液质量的1%~2%;⑵制备氢氧化镁前驱体:将所述纯化硫酸镁溶液加热至30℃~50℃后,按其质量的1.1~1.3倍加入质量浓度为20%的氨水进行完全反应后,经离心过滤得到氢氧化镁水合物,该氢氧化镁水合物经纯水洗涤至无硫酸根残留后,即得氢氧化镁前驱体;⑶制备氟化镁粉体:在衬有聚四氟乙烯的反应釜中加入质量浓度为40%的分析纯氢氟酸,然后加入所述氢氧化镁前驱体进行搅拌,氟素反应后经离心过滤后,即得氟化镁粉体;所述氢氧化镁前驱体与所述氢氟酸的质量比为1:1.5~ 2;⑷制备高纯度氟化镁粉体:将所述氟化镁粉体装入刚玉坩埚进行煅烧,即得纯度≥99.99%的氟化镁粉体。
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  • 2011-03-09 - 2012-09-19 - C01F5/28
  • 本发明公开了一种高纯氟化镁晶体的生产方法,包括以下步骤:(1)将碳酸镁与水混合,搅拌,配制成碳酸镁悬浮液,向该碳酸镁悬浮液中通入CO2气体进行碳化,得反应液A;(2)将氟硅酸氨解,制得氟化铵溶液或氟化氢铵溶液;(3)将反应液A与氟化铵溶液或氟化氢铵溶液混合,反应得到高纯氟化镁料浆,反应过程中生成的CO2气体经收集后返回用于碳化反应,反应过程中生成的氨气经收集后使用;(4)高纯氟化镁料浆经过滤,滤液返回用于配制碳酸镁悬浮液,滤饼为高纯氟化镁软膏,滤饼经洗涤、干燥,烧结,得高纯氟化镁晶体。本发明具有较好的经济效益、社会效益和环保效益,适合推广应用。
  • 一种控温合成结晶电子级氟化镁的制备方法-201110263913.9
  • 明添;明智;明雯;明实 - 四川明晶光电科技有限公司
  • 2011-09-07 - 2012-01-18 - C01F5/28
  • 本发明公开了一种控温合成结晶电子级氟化镁的制备方法,它包括以下步骤:(1)在反应容器内加入水、镁盐、碳酸氢铵,测量反应容器内杂质含量,加入螯合剂,搅拌;(2)加入重金属离子;(3)过滤、离心分离、提纯,当其杂质含量小于0.5时,加热,制得碳酸镁,并将制得的物料加入反应釜中;(4)在反应釜中加入水和氢氟酸;(5)反应完全后,加热到100~120℃,加热时间3~5小时,再升温到130~150℃,升温加热时间1~3小时;(6)离心分离;(7)烘干处理,制得电子级氟化镁。本发明提供一种控温合成结晶电子级氟化镁的制备方法,具有产品纯度达5N级,生产过程简单,生产成本低,批量生产等优点。
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