[发明专利]晶片封装体及其制造方法在审
申请号: | 201610072486.9 | 申请日: | 2016-02-02 |
公开(公告)号: | CN105870138A | 公开(公告)日: | 2016-08-17 |
发明(设计)人: | 姚皓然;温英男;刘建宏 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包括:一第一基底,具有一元件区且具有一第一表面及与其相对的一第二表面:一介电层,设置于第一基底的该第二表面上且包括一导电垫结构与元件区电性连接,且第一基底完全覆盖导电垫结构;一第二基底,设置于第一基底的第二表面上,且介电层位于第一基底与第二基底之间,第二基底具有一第一开口露出导电垫结构的一表面;以及一重布线层,顺应性设置于第一开口的一侧壁及露出的导电垫结构的表面上。本发明能降低晶片封装体的制作成本、提升光学元件的光学效能、增加晶片封装体的透光率、提升晶片封装体的结构强度等。 | ||
搜索关键词: | 晶片 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片封装体,其特征在于,包括:一第一基底,具有一元件区且具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面;一介电层,设置于该第一基底的该第二表面上,其中该介电层内包括一导电垫结构与该元件区电性连接,且该第一基底完全覆盖该导电垫结构;一第二基底,设置于该第一基底的该第二表面上,其中该介电层位于该第一基底与该第二基底之间,且该第二基底具有一第一开口露出该导电垫结构的一表面;以及一重布线层,顺应性设置于该第一开口的一侧壁及露出的该导电垫结构的该表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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