[发明专利]一种发光二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的制备方法，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层；在AlGaInP外延层上设置P型电极，在GaAs衬底的第二表面设置N型电极，得到晶元；对晶元的第一表面进行切割，在晶元的第一表面形成P面切割道；采用刻蚀技术对晶元的第二表面进行切割，在晶元的第二表面形成N面切割道；将晶元的第二表面粘附在胶膜上，并在晶元的第一表面覆盖薄膜；对晶元的第一表面进行裂片，得到若干独立的发光二极管芯片；对胶膜进行扩张，分离发光二极管芯片。本发明通过至少一个表面采用刻蚀技术进行切割，切割效率大大提高，降低了生产成本。

主权项

1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层；在所述AlGaInP外延层上设置P型电极，在所述GaAs衬底的第二表面设置N型电极，得到晶元，所述GaAs衬底的第二表面为与所述GaAs衬底的第一表面相反的表面；对所述晶元的第一表面进行切割，在所述晶元的第一表面形成P面切割道，所述晶元的第一表面为设有所述P型电极的表面；采用刻蚀技术对所述晶元的第二表面进行切割，在所述晶元的第二表面形成N面切割道，所述N面切割道与P面切割道图形相同且位置相对，所述晶元的第二表面为与所述晶元的第一表面相反的表面，各个发光二极管芯片之间通过GaAs衬底连接在一起；将所述晶元的第二表面粘附在胶膜上，并在所述晶元的第一表面覆盖薄膜，所述胶膜包括聚氯乙烯PVC基材和亚克力系粘着剂，所述薄膜为塑料膜或聚氨酯PU膜；采用滚压裂片的方式对所述晶元的第一表面进行裂片，得到若干独立的发光二极管芯片；对所述胶膜进行扩张，分离所述发光二极管芯片；所述对所述晶元的第一表面进行切割，在所述晶元的第一表面形成P面切割道，包括：在所述晶元的第一表面涂覆光刻胶；采用光刻技术形成设定图形的光刻胶；在所述设定图形的光刻胶的保护下，对所述晶元进行电感耦合等离子体ICP刻蚀，在所述晶元的第一表面形成N面切割道，所述N面切割道的宽度为10～20μm；去除所述设定图形的光刻胶。