[发明专利]一种发光二极管的制备方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管的制备方法，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层；在AlGaInP外延层上设置P型电极，在GaAs衬底的第二表面设置N型电极，得到晶元；对晶元的第一表面进行切割，在晶元的第一表面形成P面切割道；采用刻蚀技术对晶元的第二表面进行切割，在晶元的第二表面形成N面切割道；将晶元的第二表面粘附在胶膜上，并在晶元的第一表面覆盖薄膜；对晶元的第一表面进行裂片，得到若干独立的发光二极管芯片；对胶膜进行扩张，分离发光二极管芯片。本发明通过至少一个表面采用刻蚀技术进行切割，切割效率大大提高，降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管的制备方法。

背景技术

作为目前全球最受瞩目的新一代光源，发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)因其高亮度、低热量、长寿命、无毒、可回收再利用等优点，被称为时21世纪最有发展前景的绿色照明光源。其中，AlGaInP发光二极管在黄绿、橙色、橙红色、红色波段性能优越，在白光光源、全色显示、交通信号灯、城市亮化工程等领域广泛应用。

AlGaInP发光二极管的制备方法包括：在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层；在AlGaInP外延层上设置P型电极，在GaAs衬底的第二表面设置N型电极，得到晶元，GaAs衬底的第二表面为与GaAs衬底的第一表面相反的表面；采用刀片切割晶元，得到若干独立的LED芯片。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

为了保证切割质量，采用刀片切割晶元时刀头的行进速度不能太快，切割效率较低。而且随着芯片尺寸越来越小，单片晶元的切割时间越来越长，设备产能降低，造成人力和设备成本增高。

发明内容

为了解决现有技术切割效率较低、生产成本高的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：

在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层；

在所述AlGaInP外延层上设置P型电极，在所述GaAs衬底的第二表面设置N型电极，得到晶元，所述GaAs衬底的第二表面为与所述GaAs衬底的第一表面相反的表面；

对所述晶元的第一表面进行切割，在所述晶元的第一表面形成P面切割道，所述晶元的第一表面为设有所述P型电极的表面；

采用刻蚀技术对所述晶元的第二表面进行切割，在所述晶元的第二表面形成N面切割道，所述N面切割道与P面切割道图形相同且位置相对，所述晶元的第二表面为与所述晶元的第一表面相反的表面，各个发光二极管芯片之间通过GaAs衬底连接在一起；

将所述晶元的第二表面粘附在胶膜上，并在所述晶元的第一表面覆盖薄膜，所述胶膜包括聚氯乙烯PVC基材和亚克力系粘着剂，所述薄膜为塑料膜或聚氨酯PU膜；

采用滚压裂片的方式对所述晶元的第一表面进行裂片，得到若干独立的发光二极管芯片；

对所述胶膜进行扩张，分离所述发光二极管芯片；

所述对所述晶元的第一表面进行切割，在所述晶元的第一表面形成P面切割道，包括：

在所述晶元的第一表面涂覆光刻胶；

采用光刻技术形成设定图形的光刻胶；

在所述设定图形的光刻胶的保护下，对所述晶元进行电感耦合等离子体ICP刻蚀，在所述晶元的第一表面形成N面切割道，所述N面切割道的宽度为10～20μm；

去除所述设定图形的光刻胶。