[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和液晶面板

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法和液晶面板。所述薄膜晶体管阵列基板包括具有一透明基板，还包括：栅极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、源极电极与漏极电极，以及，像素电极。本发明的薄膜晶体管阵列基板通过采用MoTi电极取代传统结构中的ITO电极，使得本发明的所述薄膜晶体管阵列基板的制造工艺中可以同时省掉PV层，减少一道光罩，以降低制造成本，扩大IGZO结构的应用。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板，具有一透明基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板还包括：栅极，所述栅极设于所述透明基板上；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设于所述透明基板上，并且覆盖所述栅极；半导体层，所述半导体层设于所述栅极绝缘层上，并且对应所述透明基板上的栅极电极；蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层设于所述栅极绝缘层上并覆盖所述半导体层，并且，所述蚀刻阻挡层上形成数个接触孔；源极电极与漏极电极，所述源极电极与漏极电极设于所述蚀刻阻挡层上，并通过所述接触孔分别与所述半导体层连接；以及，像素电极，所述像素电极设于所述源极电极及漏极电极上；其中，所述半导体层由铟镓锌氧化物制成；所述像素电极由钼合金制成。