[发明专利]TFT阵列基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201610058332.4 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105514122A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李金明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;侯艺 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法。所述TFT阵列基板包括：基底；半导体层，形成在基底上；像素电极，形成在基底上以与半导体层位于同一层上；栅极绝缘层，形成在半导体层上；栅电极，形成在栅极绝缘层上；层间绝缘层，形成在基底上以覆盖栅极绝缘层、栅电极和像素电极；源电极，设置在层间绝缘层上并电连接到半导体层；漏电极，设置在层间绝缘层上并电连接半导体层和像素电极。根据本发明的阵列基板及其制造方法，能够避免金属刻蚀液对金属氧化物的刻蚀。此外，本发明的包括顶栅结构的TFT的阵列基板比传统的顶栅结构的TFT节省两道光罩工艺，从而降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板包括：基底；半导体层，形成在基底上；像素电极，形成在基底上以与半导体层位于同一层上；栅极绝缘层，形成在半导体层上；栅电极，形成在栅极绝缘层上；层间绝缘层，形成在基底上以覆盖栅极绝缘层、栅电极和像素电极；源电极，设置在层间绝缘层上并电连接到半导体层；漏电极，设置在层间绝缘层上并电连接半导体层和像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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