[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。改进了具有非易失性存储器的半导体器件的可靠性。非易失性存储器的存储器单元是分离栅极型，并且在半导体衬底中具有第一n型半导体区域和第二n型半导体区域、经由第一绝缘膜形成在半导体区域之间的衬底之上的控制电极、和经由具有电荷累积部分的第二绝缘膜形成在第一n型半导体区域和第二n型半导体区域之间的衬底之上的存储器栅极电极。SSI方法用于向存储器单元写入。在存储器单元的读出操作期间，第一半导体区域和第二半导体区域分别用作源极区域和漏极区域。形成为与存储器栅极电极的侧表面相邻的第一侧壁间隔件的第一宽度，大于形成为与控制栅极电极的侧表面相邻的第二侧壁间隔件的第二宽度。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；用于非易失性存储器的存储器单元的第一导电类型的第一半导体区域和第二半导体区域，形成在所述半导体衬底中；用于所述存储器单元的第一栅极电极，经由第一栅极绝缘膜形成在所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间的所述半导体衬底之上；用于所述存储器单元的第二栅极电极，经由具有电荷累积部分的第二栅极绝缘膜形成在所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间的所述半导体衬底之上；第一侧壁间隔件，形成为与所述第一栅极电极的第一侧表面相邻，所述第一侧表面与所述第一栅极电极的与所述第二栅极电极相邻的侧相对；以及第二侧壁间隔件，形成为与所述第二栅极电极的第二侧表面相邻，所述第二侧表面与所述第二栅极电极的与所述第一栅极电极相邻的侧相对；其中在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极中，所述第一栅极电极布置在所述第一半导体区域侧，并且所述第二栅极电极布置在所述第二半导体区域侧，其中在所述存储器单元的写入操作时，通过源极侧注入将电荷注入到所述第二栅极绝缘膜的所述电荷累积部分中，从而执行向所述存储器单元的写入，其中在所述存储器单元的读出操作时，所述第一半导体区域用作所述存储器单元的漏极区域，并且所述第二半导体区域用作所述存储器单元的源极区域，并且其中所述第二侧壁间隔件的在所述第二栅极电极的栅极长度方向上的第二宽度大于所述第一侧壁间隔件的在所述第一栅极电极的栅极长度方向上的第一宽度。