[发明专利]一种半导体器件及其检测结构、电子装置

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其检测结构、电子装置。所述检测结构用于检测具有浮栅和控制栅的半导体器件，所述检测结构包括：第一接触孔和第二接触孔，位于所述半导体器件中去除所述控制栅之后露出的所述浮栅上；其中，所述第一接触孔与所述第二接触孔分别电连接相邻的所述浮栅，用于分别对相邻的所述浮栅施加不同的电压，以测试相邻的所述浮栅之间的漏电流。所述检测结构包括接触孔和金属层形成链，位于所述浮栅的上方，直接与所述浮栅电连接，用于检测浮栅的漏电或者短路等缺陷，其中所述检测结构包括独立设置的用于在位线和字线方向上对所述浮栅进行检测。

主权项

1.一种半导体器件的检测结构，所述检测结构用于检测具有浮栅和控制栅的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括若干相互间隔设置的有源区，所述浮栅和控制栅形成于所述有源区上；所述检测结构包括独立设置的至少两个第一测试单元；其中，至少两个所述第一测试单元分别位于两个第一切割区域中，所述第一切割区域横跨所述有源区并且所述第一切割区域的延伸方向与所述有源区延伸方向垂直；所述检测结构还进一步包括独立设置的至少两个第二测试单元，至少两个所述第二测试单元分别位于两个第二切割区域中，所述第二切割区域横跨所述控制栅并且所述第二切割区域的延伸方向与所述有源区延伸方向平行；所述第一测试单元和所述第二测试单元均包括：第一接触孔和第二接触孔，位于所述半导体器件中去除所述控制栅之后露出的所述浮栅上；其中，所述第一接触孔与所述第二接触孔分别电连接相邻的所述浮栅，用于分别对相邻的所述浮栅施加不同的电压，以测试相邻的所述浮栅之间的漏电流。