[发明专利]一种半导体器件及其检测结构、电子装置有效
| 申请号： | 201610048652.1 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN106997857B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 黄军;查源清 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 检测 结构 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的检测结构，所述检测结构用于检测具有浮栅和控制栅的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括若干相互间隔设置的有源区，所述浮栅和控制栅形成于所述有源区上；所述检测结构包括独立设置的至少两个第一测试单元；其中，至少两个所述第一测试单元分别位于两个第一切割区域中，所述第一切割区域横跨所述有源区并且所述第一切割区域的延伸方向与所述有源区延伸方向垂直；所述检测结构还进一步包括独立设置的至少两个第二测试单元，至少两个所述第二测试单元分别位于两个第二切割区域中，所述第二切割区域横跨所述控制栅并且所述第二切割区域的延伸方向与所述有源区延伸方向平行；
所述第一测试单元和所述第二测试单元均包括：
第一接触孔和第二接触孔，位于所述半导体器件中去除所述控制栅之后露出的所述浮栅上；
其中，所述第一接触孔与所述第二接触孔分别电连接相邻的所述浮栅，用于分别对相邻的所述浮栅施加不同的电压，以测试相邻的所述浮栅之间的漏电流。
2.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述检测结构还包括：
第一金属层，位于若干所述第一接触孔的上方，以电连接相邻的所述第一接触孔；
第二金属层，位于若干所述第二接触孔的上方，以电连接相邻的所述第二接触孔。
3.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述第一接触孔和所述第二接触孔沿位线方向排列，以检测所述位线方向上相邻的所述浮栅之间的漏电流。
4.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述第一接触孔和所述第二接触孔沿字线方向排列，以检测所述字线方向上相邻的所述浮栅之间的漏电流。
5.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述浮栅呈条形形状，所述第一接触孔位于所述浮栅的一端，所述第二接触孔位于相邻浮栅的另一端。
6.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述控制栅和所述浮栅之间还形成有隔离层。
7.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述半导体器件还进一步包括：
阱区，位于所述有源区中所述浮栅的下方；
LDD区域，位于所述浮栅两侧的所述有源区中；
和/或源漏区，位于所述浮栅两侧的所述有源区中。
8.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括权利要求1至7之一所述的检测结构。
9.一种电子装置，包括权利要求8所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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