[发明专利]低噪声雪崩光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低噪声雪崩光电探测器及其制备方法，该低噪声雪崩光电探测器包括通过扩散、离子注入依次形成不同掺杂类型的N型欧姆接触层/P型欧姆接触层、倍增层、电荷层、P型欧姆接触层/N型欧姆接触层，且电荷层与P型欧姆接触层/N型欧姆接触层之间的底部形成有衬底；所述电荷层、P型欧姆接触层/N型欧姆接触层与衬底之间形成一个倒梯形凹槽；所述倒梯形凹槽内形成有吸收层。所述P型欧姆接触层和N型欧姆接触层上分别设有P型电极和N型电极。本发明的特点是改进一维纵向雪崩光电探测器为二维横向结构，通过降低倍增层的有效厚度到纳米尺寸，利用纳米倍增区的死区效应降低k值。

主权项

一种低噪声雪崩光电探测器，其特征在于：包括通过扩散、离子注入依次形成不同掺杂类型的N型欧姆接触层/P型欧姆接触层、倍增层、电荷层、P型欧姆接触层/N型欧姆接触层，且电荷层与P型欧姆接触层/N型欧姆接触层之间的底部形成有衬底；所述N型和P型欧姆接触层是通过在低掺杂的硅层侧向两端进行高掺杂形成，掺杂浓度高于1.0×1018/cm3，所述的电荷层是在P型和N型欧姆接触层之间采用精确控制的P型或N型掺杂形成，掺杂浓度范围为1×1017/cm3‑9×1017/cm3，所述电荷层、P型欧姆接触层/N型欧姆接触层与衬底之间形成一个倒梯形凹槽；所述倒梯形凹槽内形成有吸收层。