[发明专利]半导体结构、其形成方法及测试方法在审
| 申请号： | 201610044781.3 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106997900A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈彧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体结构、其形成方法及测试方法。所述半导体结构包括前端芯片；位于所述前端芯片背面的金属层；以及位于所述金属层上的保护层，所述保护层防止所述金属层被污染。从而利用保护层防止空气、水分及其他物质对所述半导体结构上的金属层的氧化等污染过程，避免了白点缺陷的产生。在进行测试时，可以将保护层去除，使得测试得以正常进行，有助于提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 测试 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：前端芯片；位于所述前端芯片背面的金属层；以及位于所述金属层上的保护层，所述保护层防止所述金属层被污染。
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