[发明专利]晶体管及显示设备在审
申请号: | 201610041758.9 | 申请日: | 2010-08-26 |
公开(公告)号: | CN105679766A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;坂仓真之;渡边了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宫永昭治;广桥拓也;岸田英幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/04;H01L29/786 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及晶体管及显示设备。具体地说提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层,能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外,还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 显示 设备 | ||
【主权项】:
一种晶体管,包括:栅电极层;相邻于所述栅电极层的栅极绝缘层;隔着所述栅极绝缘层相邻于所述栅电极层的氧化物半导体层,该氧化物半导体层包括沟道区;以及接触于所述氧化物半导体层的氧化物绝缘层,其中,所述氧化物半导体层包括铟、锌、以及铟和锌之外的金属,所述氧化物半导体层的上部包括结晶区,该结晶区包括在垂直于所述氧化物半导体层的上表面的方向上进行c轴取向的微晶,并且,所述结晶区不形成在侧表面部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的