[发明专利]一种双栅TFT阵列基板及其制造方法和显示装置

摘要

本发明公开了一种双栅TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，其中，制造方法包括：通过一次构图工艺形成公共电极和顶栅。本发明提供的双栅TFT阵列基板及其制造方法，通过一次构图工艺形成公共电极和顶栅，与传统的先制作公共电极，再制作顶栅的工艺过程相比，减少了构图工艺的次数，简化了工艺流程。同时，本发明中通过还原方法得到的双栅TFT阵列基板中的顶栅与底栅具有相近的电阻，保证了整个阵列基板的稳定性。

主权项

1.一种双栅TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：形成透明金属氧化物层；在所述透明金属氧化物层上形成光刻胶；对所述光刻胶进行半灰阶掩膜曝光处理，通过显影，保留第一区域的光刻胶，部分保留第二区域的光刻胶，去除其他区域光刻胶；蚀刻掉所述其他区域的透明金属氧化物层；通过一次灰化工艺去除所述第二区域的光刻胶，减薄所述第一区域的光刻胶厚度；对第二区域的透明金属氧化物层进行等离子还原气体表面处理，以析出所述第二区域的透明金属氧化物层中的金属，将所述第一区域的透明金属氧化物层作为公共电极，将所述第二区域的金属层作为顶栅。