[发明专利]一种二重穿插的配位聚合物及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种二重穿插的配位聚合物及其制备方法和应用。采用的技术方案是将In(NO3)3，有机配体4,4’,4”‑s‑三嗪‑2,4,6‑三苯甲酸，N,N‑二甲基甲酰胺，乙腈和HNO3加入到容器中，于常温下搅拌；将容器密封后，置于烘箱中，于355K下，保持3‑4天；缓慢冷却到室温，得到白色晶体，洗涤、过滤并干燥，得到目标产物。本发明所制备的基于InⅢ的二重穿插的配位聚合物具有荧光活性，并且可以检测易爆炸的溶剂。

主权项

一种二重穿插的配位聚合物，其特征在于，所述的二重穿插的配位聚合物属于单斜晶系，空间群为P2/c，在它的一个基本单元中有三个铟离子，两个4,4’,4”‑s‑三嗪‑2,4,6‑三苯甲酸配体，三个甲酸，一个DMF，配合物的InⅢ通过4,4’,4”‑s‑三嗪‑2,4,6‑三苯甲酸中的羧基采取O,O‑螯合配位，每个InⅢ离子中心都是7配位，其中有4个羧基氧原子来自于两个独立的4,4’,4”‑s‑三嗪‑2,4,6‑三苯甲酸配体，两个氧原子来自于两个甲酸，另外一个氧原子来自DMF溶剂分子的氧原子，每个4,4’,4”‑s‑三嗪‑2,4,6‑三苯甲酸配体都连接着三个InⅢ离子中心，形成无限的链状结构，无限延伸的链状结构通过4,4’,4”‑s‑三嗪‑2,4,6‑三苯甲酸配体进一步连接形成了二重穿插的配位聚合物[In3(TATB)2(HCOO)3(DMF)3]·2DMF·H2O。