[发明专利]MOS管的制作方法

摘要

本发明涉及一种MOS管的制作方法，该方法包括在硅衬底上制作第一结构；在P阱区和N阱区的交界处形成第二氧化层；在P阱区内形成P型场区注入区和防穿通注入区，P型场区注入区位于第二氧化层的下表面；去掉第一氧化层和氮化硅层。由于本发明首先形成第二氧化层，因此在第二氧化层的热生长时，P型场区注入区和抗穿通注入区还没有形成，由此避免了这两个注入区中的P型离子不会扩散到P阱区中的其他区域，避免了对器件性能的影响。同时，本发明在进行离子注入形成P型场区注入区和防穿通注入区时，第二氧化层的热生长已经完成，因此避免了“吸硼排磷”效应的发生，进而避免P型场区注入区的P型离子进入第二氧化层中降低P型场区注入区的效果。

主权项

一种MOS管的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底上制作第一结构，所述第一结构包括在所述硅衬底上形成的P阱区和N阱区、覆盖所述P阱区上表面和N阱区上表面的第一氧化层及形成于所述第一氧化层之上的氮化硅层，且与所述P阱区和所述N阱区交界处所对应的第一氧化层露出所述氮化硅层；在所述P阱区和所述N阱区的交界处形成第二氧化层；在所述P阱区内形成P型场区注入区和防穿通注入区，所述P型场区注入区位于所述第二氧化层的下表面；去掉所述第一氧化层和所述氮化硅层。