[发明专利]薄膜太阳能电池组件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610033843.0 | 申请日： | 2016-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN105789351B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李艺明;邓国云 | 申请（专利权）人： | 厦门神科太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人： | 张松亭,游学明 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜太阳能电池组件及其制备方法，该薄膜太阳能电池组件包括基板，背电极层，半导体层，透明导电层，及P1、P2和P3沟槽；其中P1沟槽被半导体层材料填充，在P2沟槽的侧壁和底部都覆盖有高电阻材料膜层，在P2沟槽内填充具有导电性的材料，高电阻材料膜层位于P2沟槽的侧壁和/或底部与透明导电层之间，具有导电性的材料填充于透明导电层上方和/或下方。所述导电性的材料由含有导电性粒子的树脂或油墨构成，所述导电性粒子包括银、铝、钛、铜、钼、碳或及其合金等。本发明能够提升薄膜太阳能电池组件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 组件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池组件，该薄膜太阳能电池组件包括基板，背电极层，半导体层，透明导电层，及P1、P2和P3沟槽；其中P1沟槽被半导体层材料填充，P2沟槽覆盖透明导电层，其特征在于：在P2沟槽的侧壁和/或底部覆盖有高电阻材料膜层，在P2沟槽内填充具有导电性的材料；高电阻材料膜层位于P2沟槽的侧壁和/或底部与透明导电层之间，具有导电性的材料填充于透明导电层上方和/或下方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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