[发明专利]薄膜太阳能电池组件及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池组件，该薄膜太阳能电池组件包括基板，背电极层，半导体层，透明导电层，及P1、P2和P3沟槽；其中P1沟槽被半导体层材料填充，P2沟槽覆盖透明导电层，其特征在于：在P2沟槽的侧壁和/或底部覆盖有高电阻材料膜层，在P2沟槽内填充具有导电性的材料；高电阻材料膜层位于P2沟槽的侧壁和/或底部与透明导电层之间，具有导电性的材料填充于透明导电层上方和/或下方。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池组件，其特征在于：所述高电阻材料膜层的方块电阻为5kΩ/□至350kΩ/□，膜层的厚度为1nm-300nm，膜层具有透光性，可见光透过率大于80％。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池组件，其特征在于：所述具有导电性的材料由包含导电性粒子的树脂或油墨构成。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池组件，其特征在于：所述半导体层包括光吸收层和缓冲层。

5.根据权利要求4所述的一种薄膜太阳能电池组件，其特征在于：所述光吸收层为铜铟镓硒膜层、铜铟镓硒硫膜层、铜铟镓硫膜层、铜铟镓铝硒膜层、铜铟镓铝硒硫膜层、铜铟镓铝硫膜层、铜铟硒膜层、铜铟硒硫膜层、铜铟硫膜层、铜锌锡硫膜层、碲化镉膜层中的一种或它们的组合，所述光吸收层中含有碱金属元素；所述缓冲层为硫化镉、氧化锌、硫化锌、硒化锌、硫硒化锌、硫化铟、硒化铟、硫硒化铟或锌镁氧化物中的一种或两种以上，所述缓冲层由一层或多层组成。

6.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池组件，其特征在于：在基板与背电极层之间插入一层阻挡元素扩散的电介质材料层。

7.一种薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：在基板上形成背电极层；接着对背电极层进行图案化处理使之形成P1沟槽，在P1沟槽的底部没有背电极层材料；接着在图案化后的背电极层上形成半导体层，使半导体层覆盖P1沟槽和背电极层；接着对半导体层进行图案化处理使之形成P2沟槽，在P2沟槽的底部露出背电极层；接着在图案化后的半导体层上形成一高电阻材料膜层，使高电阻材料膜层覆盖半导体层和P2沟槽；接着在高电阻材料膜层上形成透明导电层；接着在P2沟槽内填充具有导电性的材料；接着对透明导电层、高电阻材料膜层和半导体层进行图案化处理使之形成P3沟槽，在P3沟槽的底部露出背电极层。

8.根据权利要求7所述的一种薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：在P2沟槽内填充具有导电性的材料的工序置于形成透明导电层的工序之前，或者在P2沟槽内填充具有导电性的材料的工序置于对透明导电层进行图案化处理使之形成P3沟槽的工序之后。

9.根据权利要求7所述的一种薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：所述半导体层包括光吸收层和缓冲层；所述光吸收层为铜铟镓硒膜层、铜铟镓硒硫膜层、铜铟镓硫膜层、铜铟镓铝硒膜层、铜铟镓铝硒硫膜层、铜铟镓铝硫膜层、铜铟硒膜层、铜铟硒硫膜层、铜铟硫膜层、铜锌锡硫膜层、碲化镉膜层中的一种或它们的组合，所述光吸收层中含有碱金属元素；所述缓冲层为硫化镉、氧化锌、硫化锌、硒化锌、硫硒化锌、硫化铟、硒化铟、硫硒化铟或锌镁氧化物中的一种或两种以上，所述缓冲层可由一层或多层组成。

10.根据权利要求7所述的一种薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于：进一步的，在基板与背电极层之间插入一层阻挡元素扩散的电介质材料层。