[发明专利]熔盐法制备二氧化硅粉体在审
| 申请号： | 201610030479.2 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN106976885A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 胡德霖;胡醇;汤晓萍;廖松柠;杨素苛 | 申请（专利权）人： | 苏州电器科学研究院股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215104 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种熔盐法制备结晶二氧化硅粉体的方法，以硅酸四乙酯为原料，经溶胶-沉淀过程制备前驱物，烘干后加入熔盐混合均匀，在700-1500℃下热处理2-10h。产物用去离子水即可洗去熔盐，得到纯SiO2粉体。本发明方法操作简单，成本低，适合于大规模生产。制备的SiO2粉体结晶性良好，纯度高，颗粒无明显硬团聚。 | ||
| 搜索关键词： | 法制 二氧化硅 | ||
【主权项】：
一种熔盐法制备结晶SiO2粉体的方法，其特征是，包括以下步骤：硅酸四乙酯溶于异丙醇，加入适量去离子水搅拌均匀，缓慢滴加浓氨水至出现白色沉淀。沉淀物烘干后与熔盐混合研磨均匀，经热处理后，用去离子水洗去熔盐，得到产物粉体。
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