[发明专利]熔盐法制备二氧化硅粉体在审
| 申请号： | 201610030479.2 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN106976885A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 胡德霖;胡醇;汤晓萍;廖松柠;杨素苛 | 申请（专利权）人： | 苏州电器科学研究院股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215104 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 法制 二氧化硅 | ||
【权利要求书】：
1.一种熔盐法制备结晶SiO2粉体的方法，其特征是，包括以下步骤：
硅酸四乙酯溶于异丙醇，加入适量去离子水搅拌均匀，缓慢滴加浓氨水至出现白色沉淀。沉淀物烘干后与熔盐混合研磨均匀，经热处理后，用去离子水洗去熔盐，得到产物粉体。
2.根据权利要求1所述的一种熔盐法制备结晶SiO2粉体的方法，其特征是，所述的硅酸四乙酯、异丙醇和水的体积比为(0.5-4)∶4∶(0.05-5)。
3.根据权利要求1所述的一种熔盐法制备结晶SiO2粉体的方法，其特征是，所述的熔盐为KCl和NaCl。
4.根据权利要求4所述的一种熔盐法制备结晶SiO2粉体的方法，其特征是，所述的熔盐KCl和NaCl质量比为0-100。
5.根据权利要求1所述的一种熔盐法制备结晶SiO2粉体的方法，其特征是，所述的熔盐和沉淀物质量比为0.05-100。
6.根据权利要求1所述的一种熔盐法制备结晶SiO2粉体的方法，其特征是，所述的热处理条件选700-1500℃加热0.5-10h。
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