[发明专利]倒装LED芯片的键合电极结构及制作方法有效
| 申请号： | 201610030189.8 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105489727B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 钟志白;杨力勋;郑锦坚;李佳恩;徐宸科;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了倒装LED芯片的键合电极结构及制作方法，包括：衬底；发光外延层，位于衬底之上；键合电极，位于发光外延层之上；所述键合电极结构，在垂直方向从下至上划分为由底层和上表层组成的金属叠层，其中底层结构为易氧化金属且侧壁形成氧化层，上表层为不易氧化金属；在水平方向划分为主接触部分以及围绕主接触部分的栅状部分。本发明解决习知倒装LED芯片结构在封装焊接时容易发生短路或者漏电的问题。 1 | ||
| 搜索关键词： | 键合电极 倒装LED芯片 发光外延层 上表层 衬底 易氧化金属 漏电 底层结构 封装焊接 金属叠层 氧化金属 短路 氧化层 主接触 侧壁 栅状 制作 | ||
【主权项】：
1.倒装LED芯片的键合电极结构，其特征在于：所述键合电极结构，在垂直方向从下至上划分为由底层和上表层组成的金属叠层，其中底层结构为易氧化金属且侧壁形成氧化层，上表层为不易氧化金属；在水平方向划分为主接触部分以及围绕主接触部分的栅状部分，所述主接触部分的上表层用于接触导电和散热，所述栅状部分电极底层结构的侧壁形成氧化层具有挡墙效果。
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