[发明专利]倒装LED芯片的键合电极结构及制作方法

权利要求书

1.倒装LED芯片的键合电极结构，其特征在于：所述键合电极结构，在垂直方向从下至上划分为由底层和上表层组成的金属叠层，其中底层结构为易氧化金属且侧壁形成氧化层，上表层为不易氧化金属；在水平方向划分为主接触部分以及围绕主接触部分的栅状部分，所述主接触部分的上表层用于接触导电和散热，所述栅状部分电极底层结构的侧壁形成氧化层具有挡墙效果。

2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的键合电极结构，其特征在于：所述键合电极底层结构的侧壁形成氧化层，用于倒装LED封装时，由于与锡膏表面附着性很差，表面张力大，使得锡膏向下沿着封装电极扩展，以阻止锡膏往LED芯片端扩散，从而避免芯片漏电和短路，提高可靠性。

3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的键合电极结构，其特征在于：所述栅状部分电极数目至少4个。

4.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的键合电极结构，其特征在于：所述栅状部分电极图形包括长方形或者正方形或圆形或椭圆形或三角形或多边形或十字形或前述组合。

5.倒装LED芯片的键合电极结构的制作方法，包括：

先制作金属叠层，在垂直方向从下至上包括底层和上表层，其中底层为易氧化金属，上表层为不易氧化金属；在水平方向划分为主接触部分以及围绕主接触部分的栅状部分；

再对所述金属叠层进行氧等离子体预处理，上表层不易氧化，氧等离子体对上表层形成清洁，提高表面活性，以形成良好的接触，底层为易氧化金属，氧离子体处理会使底层的侧壁形成氧化层。

6.根据权利要求5所述的倒装LED芯片的键合电极结构的制作方法，其特征在于：所述键合电极底层结构的侧壁形成的氧化层，用于倒装LED封装时，氧化层与锡膏表面附着性很差，表面张力大，使得锡膏向下沿着封装电极扩展，以阻止锡膏往LED芯片端扩散，从而避免芯片漏电和短路，提高可靠性。

7.根据权利要求5所述的倒装LED芯片的键合电极结构的制作方法，其特征在于：所述主接触部分的上表层用于接触导电和散热，所述栅状部分电极底层结构的侧壁形成氧化层具有挡墙效果。

8.根据权利要求5所述的倒装LED芯片的键合电极结构的制作方法，其特征在于：所述栅状部分电极数目至少4个。

9.根据权利要求5所述的倒装LED芯片的键合电极结构的制作方法，其特征在于：所述栅状部分电极图形包括长方形或者正方形或圆形或椭圆形或三角形或多边形或十字形或前述组合。

10.倒装LED芯片结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的量子阱层组成的发光外延层，以及位于第二半导体层上的P电极、位于第一半导体层上的N电极，其特征在于：所述倒装LED芯片结构中所述 P电极、N电极结构设置为权利要求1~4中任一项所述的键合电极结构。

11.根据权利要求10所述的倒装LED芯片结构，其特征在于：所述P电极与N电极的间距大于P电极或N电极的横截距离。