[发明专利]一种铜柱凸点的封装方法及封装结构有效

专利信息
申请号: 201610029829.3 申请日: 2016-01-15
公开(公告)号: CN105448755B 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 汤红;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/488;H01L23/52;C25D7/12;C25D9/04;C25D5/48
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种铜柱凸点的封装方法及封装结构,所述封装结构包括:金属焊料盘,制作于器件上;绝缘层,其于欲制备铜柱凸点的位置具有通孔;氧化还原石墨烯层,形成于所述金属布线层表面;铜柱,形成于所述氧化还原石墨烯层表面;金属阻挡层,形成于所述铜柱表面;焊料凸点,形成于所述金属阻挡层表面。本发明通过采用电镀工艺于金属焊料盘表面制作石墨烯层,代替传统工艺中的球下金属层,然后采用电镀制作铜柱及焊料金属,节省了传统采用溅射工艺及光刻‑刻蚀工艺制作铜柱的步骤,大大节约了工艺成本。本发明可以在氧化还原石墨烯上电镀出高质量的铜柱。可见,本发明能提高器件的性能,在半导体制造领域具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 铜柱凸点 封装 方法 结构
【主权项】:
1.一种铜柱凸点的封装方法,其特征在于,所述封装方法包括:1)提供一具有金属焊盘的半导体衬底,所述半导体衬底表面覆盖有绝缘层,刻蚀所述绝缘层暴露出所述金属焊盘;2)采用电镀法于所述金属焊盘表面形成氧化石墨烯层并在水合肼蒸汽下还原成还原氧化石墨烯层;3)采用电镀法于所述还原氧化石墨烯层表面形成铜柱;4)采用电镀法于所述铜柱表面形成金属阻挡层;5)采用电镀法于所述金属阻挡层表面形成焊料金属,并采用高温回流工艺于所述金属阻挡层表面形成焊料凸点,其中,步骤2)中,包括步骤:2‑1)采用旋涂工艺于待封装结构表面旋涂光刻胶;2‑2)采用光刻工艺于欲制备铜柱凸点的位置打开窗口;2‑3)基于所述窗口,采用电镀法于金属焊盘表面形成所述氧化石墨烯层并在水合肼蒸汽下还原成所述还原氧化石墨烯层;步骤3)中,基于所述光刻胶的窗口,采用电镀法于所述还原氧化石墨烯层表面依次形成所述铜柱、所述金属阻挡层以及所述焊料金属。
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