[发明专利]制作光电二极管的方法、光电二极管及光感应器

摘要

本发明涉及一种制作光电二极管的方法，包括：提供半导体衬底并在半导体衬底中形成光电二极管PN结，光电二极管PN结与模拟电路中的有源器件同步形成；在半导体衬底上沉积形成多层结构；在多层结构中形成窗口，窗口开设在光电二极的PN结上方；在窗口区域表面沉积氮化硅和/或二氧化硅形成反射层。此外，还提供一种光电二极管和光感应器。在保持现有半导体工艺中原有器件性能不变的情况下，光电二极管PN结与模拟电路中的有源器件同步形成，同时改变光电二极管窗口的腐蚀工艺，在窗口区域增加反射层，实现了在任意工艺平台上光电二极管与模拟电路中有源器件的单芯片集成。光电二极管与模拟电路集成在同一个芯片的工艺过程简单、成本低。

主权项

1.一种制作光电二极管的方法，用于在模拟电路中集成光电二极管，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底中形成光电二极管PN结，所述光电二极管PN结与模拟电路中的有源器件同步形成；在所述半导体衬底上沉积形成多层结构；在所述多层结构中形成窗口，所述窗口开设在所述光电二极管PN结上方；在所述窗口区域表面沉积氮化硅和/或二氧化硅，形成反射层；其中，所述光电二极管PN结与所述模拟电路中的有源器件同步形成的具体步骤包括：在半导体衬底上进行离子注入，形成第一导电类型埋层和第二导电类型埋层，在所述半导体衬底上热生长第一导电类型外延层；在所述第一导电类型外延层分别注入第一导电类型杂质和第二导电类型杂质，形成第一导电类型阱区和第二导电类型阱区，在所述第一导电类型埋层与所述第二导电类型阱区形成光电二极管PN结；依照COMS工艺，在所述第一导电类型外延层上进行淀积和局部氧化，制作所述有源器件或者制作所述模拟电路的多个有源区和所述模拟电路的多个场氧化隔离区；在所述第一导电类型外延层的不同区域分别进行第一导电类型和第二导电类型源漏注入，形成光电二极管的阳极和阴极。