[发明专利]甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片生长方法及生长装置在审
| 申请号： | 201610018311.X | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105586641A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 陶绪堂;殷建 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片生长方法及生长装置，生长方法包括步骤如下：(1)将CH3NH3PbX3(X＝Cl、Br、I)的极性有机溶液滴加到衬底上，随即压上与衬底相同材质的盖片，贴合后使溶液在衬底上铺展，得到生长体；(2)将生长体置于密封容器中，于40～70℃温度下，真空或惰性气氛中，生长3～20天，即得。生长装置包括控温生长装置和密闭装置，密闭装置设置在控温生长装置中，控温生长装置设置有抽真空装置及惰性气体进气装置。本发明所制备微米薄片为单晶，结构完整，表面平整，无晶界，中间体和缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 卤化 盐化 合物单晶 微米 薄片 生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片的生长方法，包括步骤如下：(1)将CH3NH3PbX3(X＝Cl、Br、I)的极性有机溶液滴加到衬底上，随即压上与衬底相同材质的盖片，贴合后使溶液在衬底上铺展，得到生长体；(2)将生长体置于密封容器中，于40～70℃温度下，真空或惰性气氛中，生长3～20天，即得甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片。
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