[发明专利]甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片生长方法及生长装置

权利要求书

1.一种甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片的生长方法，包括步骤如下：

(1)将CH₃NH₃PbX₃(X＝Cl、Br、I)的极性有机溶液滴加到衬底上，随即压上与衬 底相同材质的盖片，贴合后使溶液在衬底上铺展，得到生长体；

(2)将生长体置于密封容器中，于40～70℃温度下，真空或惰性气氛中，生长3～20天， 即得甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片。

2.根据权利要求1所述的甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片的生长方法，其特征在于， 步骤(1)中CH₃NH₃PbX₃的极性有机溶液的浓度为0.01～0.13mol/100mL。

3.根据权利要求1所述的甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片的生长方法，其特征在于， 步骤(1)CH₃NH₃PbX₃的极性有机溶液中，极性有机溶剂为DMF、DMSO或THF。

4.根据权利要求1所述的甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片的生长方法，其特征在 于，步骤(1)所述的衬底为玻璃、石英、硅片、PET或FTO玻璃。

5.根据权利要求1所述的甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片的生长方法，其特征在 于，步骤(1)中CH₃NH₃PbX₃的极性有机溶液按如下方法制得：

将CH₃NH₃X(X＝Cl、Br、I)与PbX₂(X＝Cl、Br、I)按摩尔比1:1溶于极性有机溶剂中，溶 解量为0.01～0.13mol/100mL，惰性气氛中搅拌溶解，即得。

6.根据权利要求1所述的甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片的生长方法，其特征在 于，步骤(2)中密封容器为密闭的玻璃装置或耐温聚合物装置。

7.根据权利要求1所述的甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片的生长方法，其特征在 于，步骤(2)中所述的生长体与水平面的夹角θ＝0～90°，优选的θ＝10～70°。

8.根据权利要求1所述的甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片的生长方法，其特征在 于，步骤(2)中真空状态的真空度为-30KPa～-100KPa，所述的惰性气氛为氮气或氩气。

9.一种甲胺卤化铅酸盐化合物大尺寸单晶微米薄片的生长装置，包括控温生长装置和密 闭装置，所述的密闭装置设置在控温生长装置中，所述的控温生长装置设置有抽真空装置及 惰性气体进气装置。

10.根据权利要求9所述的甲胺卤化铅酸盐化合物大尺寸单晶微米薄片的生长装置，其 特征在于，所述的密闭装置内还设置有可调节与水平面角度的配件。