[发明专利]包括埋入式阳极氧化物结构的半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610016720.6 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN105789109B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | H-J·舒尔策;I·莫德;I·穆里 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/335;H01L21/331;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 郑立柱<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据半导体装置的制造方法，从第一侧将第一沟槽形成到半导体本体中。通过将半导体本体浸入电解液中并且在半导体本体与接触电解液的电极之间施加阳极氧化电压而在第一沟槽的底侧形成阳极氧化物结构。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 埋入 阳极 氧化物 结构 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括：/n从第一侧将第一沟槽形成到半导体本体中；以及/n通过将所述半导体本体浸入电解液中并且在所述半导体本体与接触所述电解液的电极之间施加阳极氧化电压而在所述第一沟槽的底侧处形成阳极氧化物结构，进一步包括：/n从所述第一侧将第二沟槽形成到所述半导体本体中；以及/n通过将所述半导体本体浸入所述电解液而在所述第二沟槽的底侧处形成所述阳极氧化物结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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