[发明专利]包括埋入式阳极氧化物结构的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括：

从第一侧将第一沟槽形成到半导体本体中；以及

通过将所述半导体本体浸入电解液中并且在所述半导体本体与接触所述电解液的电极之间施加阳极氧化电压而在所述第一沟槽的底侧处形成阳极氧化物结构，进一步包括：

从所述第一侧将第二沟槽形成到所述半导体本体中；以及

通过将所述半导体本体浸入所述电解液而在所述第二沟槽的底侧处形成所述阳极氧化物结构。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述第一侧处以小于5μm的侧向距离形成所述第一沟槽和所述第二沟槽。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一沟槽和所述第二沟槽的底侧处的所述阳极氧化物结构的阳极氧化物部分沿着在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的侧向方向合并之后，所述阳极氧化物结构的形成终止。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成半导体材料；

经由所述第一侧将所述半导体本体结合至载体衬底；

形成穿过所述半导体本体至所述阳极氧化物结构的进入沟道；

去除所述阳极氧化物结构；

将所述半导体本体的第一部分与所述载体衬底和所述半导体本体的第二部分隔开；以及

将所述半导体本体平坦化。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，通过施加机械力将所述半导体本体的所述第一部分与所述载体衬底和所述半导体本体的所述第二部分隔开。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，通过向所述第一部分中引入氢并且将所述半导体本体加热到劈裂温度以上而将所述半导体本体的所述第一部分与所述载体衬底和所述半导体本体的所述第二部分隔开。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成半导体材料。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括通过外延生长而在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成所述半导体材料。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第一沟槽的底侧处形成所述阳极氧化物结构之前，对所述半导体本体进行退火。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，退火温度介于200℃与1200℃范围内。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体本体在所述第一侧处包括第一半导体本体部分和位于所述第一半导体本体部分上的第二半导体本体部分，其中所述第一半导体本体部分和所述第二半导体本体部分通过掺杂浓度和导电类型中的至少一个来区分，并且其中所述方法进一步包括：

将所述第一沟槽形成为穿过所述第二半导体本体部分延伸到所述第一半导体本体部分中。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二半导体本体部分为位于所述第一半导体本体部分的n掺杂半导体层上的p掺杂半导体层。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括在所述第二半导体本体部分上形成半导体层。

14.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

从第一侧将第一沟槽形成到半导体本体中；

通过将所述半导体本体浸入电解液中并且在所述半导体本体与接触所述电解液的电极之间施加阳极氧化电压而在所述第一沟槽的底侧处形成阳极氧化物结构；

在所述第一沟槽中形成绝缘层，其中所述绝缘层为栅极电介质，并且所述阳极氧化物结构为底部电介质；以及

在所述第一沟槽中形成栅极电极。