[发明专利]包括埋入式阳极氧化物结构的半导体装置及其制造方法

说明书

本发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据半导体装置的制造方法，从第一侧将第一沟槽形成到半导体本体中。通过将半导体本体浸入电解液中并且在半导体本体与接触电解液的电极之间施加阳极氧化电压而在第一沟槽的底侧形成阳极氧化物结构。

技术领域

本发明涉及半导体领域，并且更特别地涉及一种半导体装置的制造方法。

背景技术

包括埋入式绝缘体的半导体技术是多种半导体应用的基础。举例而言，绝缘体上硅(SOI)技术基于代替常规硅衬底的层式硅-绝缘体 -硅衬底，以降低例如寄生器件电容和衬底电流注入。一些SOI衬底的制造方法(例如注氧隔离(SIMOX)或智能切割工艺)要求离子注入工艺和/或晶片结合，从而增加了工艺复杂性以及工艺成本。

制造包括埋入式氧化物的半导体装置的改进方法将是理想的。

发明内容

半导体装置的制造方法的实施例包括从第一侧将第一沟槽形成到半导体本体中。该方法进一步包括通过将半导体本体浸入电解液中并且在半导体本体与接触电解液的电极之间施加阳极氧化电压而在第一沟槽的底侧形成阳极氧化物结构。

半导体装置的实施例包括半导体本体。该半导体装置进一步包括埋入在半导体本体中的阳极氧化物结构。埋入式阳极氧化物结构包括合并在一起的至少两个埋入式阳极氧化物部分，所述至少两个埋入式阳极氧化物部分中的每一个均具有凸出表面部分。

在阅读下文详细描述并查看附图时，本领域技术人员将认识到其他特征和优点。

附图说明

包括了附图以提供本发明的进一步理解，并且附图包含在本说明书中并构成其一部分。附图示出了本发明的实施例并且与说明书一起用于阐述本发明的原理。随着参照下文详细描述而变得更好理解，本发明的其他实施例和旨在的优点将易于被认识到。

图1A至图1B为半导体本体的示意性横截面图，用于示出半导体装置的制造方法的实施例。

图2为半导体本体的示意性横截面图，用于示出使用粒子辐照半导体本体以在位于半导体本体表面之下的限定求中引起晶体损伤的实施例。

图3为半导体本体的示意性横截面图，用于示出将半导体本体在热处理设备中退火的实施例。

图4为半导体本体的示意性横截面图，用于示出使用第一填充结构填充第一沟槽的实施例。

图5为半导体本体的示意性横截面图，用于示出在半导体本体上形成一个或多个半导体层的实施例。

图6A和图6B为半导体本体的示意性横截面图，用于示出去除第一沟槽中的阳极氧化物结构的实施例。

图7为半导体本体的示意性横截面图，用于示出使用作为底部氧化物的阳极氧化物结构在第一沟槽中形成栅极结构的实施例。

图8A至图8C为半导体本体的示意性横截面图，用于示出半导体装置的制造方法的实施例。

图9A至图9D为半导体本体的示意性横截面图，用于示出半导体装置的制造方法的另一实施例。

具体实施方式

在下文详细描述中，参照附图，附图构成说明书的一部分，并且在附图中以示意的方式示出了可在其中设施本发明的具体实施例。应当理解，可使用其他实施例，并且可在不背离本发明范围的情况下做出结构和逻辑改变。例如，对一个实施例示出或描述的特征可用于其他实施例或者与其他实施例一起使用，以形成另一实施例。旨在的是，本发明包括这样的修改和变型。使用了具体文字来描述实施例，所述具体文字不应当被解释为限制所附权利要求的范围。附图并非成比例绘制并且仅仅用于示意的目的。为了清楚起见，在不同附图中，相同元件有对应的标号指代，除非另有说明。