[发明专利]半导体发光元件在审
| 申请号： | 201610016248.6 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN105810789A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 三木聪;胜野弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/14;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种改善了发光效率的半导体发光元件。实施方式的半导体发光元件具备：半导体层，包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层；电极垫，与所述半导体层相邻而设置；第1电极，一端连接在所述电极垫，从所述电极垫线状地延伸而连接在所述第1半导体层；第2电极，与所述第2半导体层连接；以及设置在所述第1半导体层的一部分与所述第1电极的一部分之间的层，该层具有比所述第1电极的导电率低的导电率。所述第1电极随着远离所述电极垫，而与所述延伸的方向垂直的方向的长度即电极宽度变短且与所述第1电极的连接面积减少。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其特征在于具备：半导体层，包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层；电极垫，与所述半导体层相邻而设置；第1电极，一端连接在所述电极垫，从所述电极垫延伸而连接在所述第1半导体层；第2电极，与所述第2半导体层连接；以及设置在所述第1半导体层的一部分与所述第1电极的一部分之间的层，该层具有比所述第1电极的导电率低的导电率；且所述第1电极随着远离所述电极垫，而与所述延伸的方向垂直的方向的长度即电极宽度变短且与所述第1电极的连接面积减少。
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