[发明专利]鳍部的形成方法和鳍式场效应管的形成方法

摘要

一种鳍部的形成方法和鳍式场效应管的形成方法。其中，所述鳍部的形成方法包括提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区和第二区；在第一区的表面和第二区的表面形成硬掩膜层；刻蚀硬掩膜层，直至形成位于硬掩膜层中的开口；沿开口刻蚀半导体衬底，直至形成沟槽，相邻沟槽之间的剩余半导体衬底成为鳍部；在沟槽和开口内填充满隔离材料；进行平坦化处理，直至隔离材料的表面与硬掩膜层的表面齐平；在位于第一区上的隔离材料和硬掩膜层上形成光刻胶层；以光刻胶层为掩模，刻蚀位于第二区的隔离材料、硬掩膜层和鳍部，直至去除位于第二区的鳍部；进行热退火处理。所述形成方法消除了稀疏鳍负载效应，简化了工艺过程，降低了工艺难度，提高了工艺效率。

主权项

一种鳍部的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区和第二区；在所述第一区的表面和所述第二区的表面形成硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层，直至形成位于所述硬掩膜层中的开口；沿所述开口刻蚀所述半导体衬底，直至形成沟槽，相邻所述沟槽之间的剩余所述半导体衬底成为鳍部；在所述沟槽和所述开口内填充满隔离材料；进行平坦化处理，直至所述隔离材料的表面与所述硬掩膜层的表面齐平；在位于所述第一区上的所述隔离材料和所述硬掩膜层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩模，刻蚀位于所述第二区的所述隔离材料、所述硬掩膜层和所述鳍部，直至去除位于所述第二区的所述鳍部；进行热退火处理。