[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201610015637.7 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106960791B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴敏<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，其中晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有阱区，所述阱区中掺杂有第一类型的杂质离子；在所述半导体衬底表面上形成漏区，所述漏区掺杂有第二类型的杂质离子，第一类型与第二类型相反；在漏区的侧壁表面形成侧墙；在漏区和侧墙两侧的半导体衬底内形成凹槽；在凹槽底部的半导体衬底内形成源区，所述源区掺杂有第二类型的杂质离子；在源区表面形成隔离层；在凹槽的侧壁表面形成栅介质层；形成栅介质层后，形成填充凹槽的栅电极。本发明方法形成的晶体管的电流驱动能力提升，并减少了漏电流的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有阱区，所述阱区中掺杂有第一类型的杂质离子；/n在所述半导体衬底表面上形成漏区，所述漏区掺杂有第二类型的杂质离子，第一类型与第二类型相反；/n在漏区的侧壁表面形成侧墙；/n在漏区和侧墙两侧的半导体衬底内形成凹槽；/n在凹槽底部的半导体衬底内形成源区，所述源区掺杂有第二类型的杂质离子；/n在源区表面形成隔离层；/n在凹槽的侧壁表面形成栅介质层；/n形成栅介质层后，形成填充凹槽的栅电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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