[发明专利]一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法

摘要

本发明公开了一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，属于光伏技术领域。光伏电池的制造包括清洗、扩散、刻蚀、PECVD、丝印烧结等工序。本发明通过改变板式PECVD的硅烷和氨气的气体流量，调节工艺速度，保证氮化硅膜的膜厚和折射率跟正常工艺保持一致，光伏电池转换效率提升0.1%以上。

主权项

 一种板式PECVD制备氮化硅减反射膜的方法，使用的硅片是电阻率为0.5~3 Ω▪cm的156mm×156mm规格的P型多晶硅片，常规酸制绒、扩散、洗磷刻蚀后，进行板式PECVD镀氮化硅减反射膜，其特征在于：板式PECVD的工艺为设定带速为215cm /min，腔室温度为350℃，共有6个气路，最后一个气路从左至右有3个流量计控制，前5个气路的硅烷的流量分别为240scccm，240scccm，180scccm，180scccm，180scccm，第6个气路的硅烷的流量为23sccm、134sccm、23sccm，前5个气路的氨气的流量分别为550scccm，550scccm，680scccm，680scccm，680scccm，第6个气路的氨气的流量为102sccm、450sccm、82sccm。