[发明专利]固态光盘和固态存储服务器在审
申请号: | 201610011389.9 | 申请日: | 2016-01-07 |
公开(公告)号: | CN105788642A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 张国飙 | 申请(专利权)人: | 杭州海存信息技术有限公司 |
主分类号: | G11C17/06 | 分类号: | G11C17/06;G06F3/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310051*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出利用固态光盘和固态存储服务器来实现移动状态下的内容分发网络(移动CDN)和超高清电视的CDN。固态存储服务器包括固态硬盘和固态光盘。其中,固态硬盘存储可写信息,固态光盘存储固定信息。固态光盘含有多个可插拔的微光盘,每个微光盘内含有多个相互堆叠的三维印录存储器(3D‑P)芯片。 | ||
搜索关键词: | 固态 光盘 存储 服务器 | ||
【主权项】:
一种固态光盘(200),其特征在于含有:一接口(250);多个与该接口(250)耦合的扩展插槽(210a、210x…),至少一插槽(210a)中插有一存储固定内容库的微光盘(100a),该微光盘(100a)可在该插槽(210a)中插入或拔出;该微光盘(100a)含有多个相互堆叠的三维印录存储器芯片(10a、10b…),每个所述三维印录存储器芯片含有多个相互堆叠的印录存储层(20a‑20d…),该印录存储层中的数据是在生产过程中通过印录方式录入的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州海存信息技术有限公司,未经杭州海存信息技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610011389.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种车用仪表指针
- 下一篇:电阻式随机存取存储器以及其制作方法
- 同类专利
- 固态光盘和固态存储服务器-201610011389.9
- 张国飙 - 杭州海存信息技术有限公司
- 2016-01-07 - 2016-07-20 - G11C17/06
- 本发明提出利用固态光盘和固态存储服务器来实现移动状态下的内容分发网络(移动CDN)和超高清电视的CDN。固态存储服务器包括固态硬盘和固态光盘。其中,固态硬盘存储可写信息,固态光盘存储固定信息。固态光盘含有多个可插拔的微光盘,每个微光盘内含有多个相互堆叠的三维印录存储器(3D‑P)芯片。
- 一种减少只读存储器漏电流的方法-201410056343.X
- 易敬军;陈邦明 - 上海新储集成电路有限公司
- 2014-02-19 - 2014-04-30 - G11C17/06
- 本发明公开了一种减少只读存储器漏电流的方法,计算待存入只读存储器的逻辑数据的总数;计算逻辑数据中高电平逻辑数据的数量;将逻辑数据存入只读存储器中;若高电平逻辑数据的数量大于逻辑数据的总数的一半,则将逻辑数据取反后存入只读存储器中。本发明还公开了一种减少只读存储器漏电流的方法,通过获取待存入只读存储器的逻辑数据中高电平逻辑数据的存储地址;步骤二:将高电平逻辑数据的存储地址转换为只读存储器的存储单元阵列中同一行或同一列存储单元的地址;步骤三:将逻辑数据按转换后的地址存入只读存储器中。本发明以较小面积的芯片与较低的延迟减少只读存储器的漏电流和静态功耗,降低漏电流对数据存储与读取的干扰。
- 一次编程存储器的多值存储方法-200910310009.1
- 刘明;左青云;龙世兵 - 中国科学院微电子研究所
- 2009-11-19 - 2011-05-25 - G11C17/06
- 本发明公开了一种一次编程存储器的多值存储方法,属于微电子制造及存储器技术领域。一次编程存储器包括双极型阻变存储器和整流二极管,所述双极型阻变存储器和所述整流二极管之间相串联,对一次编程存储器施加至少两种不同电压值的编程电压或者不同电流强度的编程电流,使所述一次编程存储器从高阻态转变成至少两种不同的低阻态,实现多值存储。本发明的一次编程存储器的多值存储方法实现了一次编程存储器的多值存储、实现了更高的存储密度以及避免了交叉阵列结构中的误读。
- 一种基于阻变存储器的一次编程存储器及其制备方法-200910308189.X
- 刘明;左青云;龙世兵 - 中国科学院微电子研究所
- 2009-10-12 - 2010-03-10 - G11C17/06
- 本发明涉及一种基于阻变存储器的一次编程存储器及其制备方法,属于微电子制造及存储器技术领域。所述一次编程存储器包括具有双极转换特性的阻变存储器和具有整流特性的二极管,具有双极转换特性的阻变存储器和具有整流特性的二极管之间相串联。本发明基于阻变存储器的一次编程存储器以具有整流特性的二极管作为选通单元,以具有双极转换特性的阻变存储器作为存储单元,并将两者串联在一起,不仅结构简单、易集成、密度高、成本低,而且器件在低阻态时具有整流作用,能够抑制交叉阵列结构中的读串扰现象,避免误读;本发明基于阻变存储器的一次编程存储器能够采用交叉阵列结构集成,可以实现更高的存储密度。
- 三维电编程只读存储器-200810189026.X
- 张国飙 - 张国飙
- 2002-11-17 - 2009-08-26 - G11C17/06
- 本发明提出一种三维电编程只读存储器(3D-EPROM),它含有一编程电压接线垫,该编程电压接线垫为该3D-EPROM引入编程电压(Vpp)。因此,3D-EPROM不需含有Vpp产生电路。这能简化3D-EPROM设计,并降低其成本。本发明还提出一种能对至少两个存储元同时进行编程的3D-EPROM。
- 存储器-200810246396.2
- 山田光一 - 三洋电机株式会社
- 2008-11-05 - 2009-07-22 - G11C17/06
- 本发明提供一种存储器,其构成为,在分别配置规定数量的位线的第一区段和第二区段,同时选择的第一区段的位线的以第一区段的端部为基准的位置和第二区段的位线的以第二区段的端部为基准的位置不同。
- 专利分类