[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610008536.7 | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN106486543B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 游政昇;林信志;黄坤铭;陈列全;褚伯韬;王升平;郭建利 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/40 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括位于衬底上的第一III‑V族化合物层、位于第一III‑V族化合物层上的第二III‑V族化合物层、设置在第二III‑V族化合物层上的栅极金属堆叠件、设置在栅极金属堆叠件的相对两侧处的源极接触件和漏极接触件、设置在栅极金属堆叠件和漏极接触件之间的栅极场板、形成在源极接触件和漏极接触件上的抗反射涂层(ARC)层以及形成在ARC层上的蚀刻停止层，其中，第一III‑V族化合物层的材料与第二III‑V族化合物层的材料不同。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n氮化镓层，位于衬底上；/n氮化铝镓层，设置在所述氮化镓层上；/n栅极金属堆叠件，设置在所述氮化铝镓层上；/n至少一个欧姆接触件，设置在所述氮化铝镓层上；/n栅极场板，设置在所述欧姆接触件和所述栅极金属堆叠件之间；/n抗反射涂层，形成在所述欧姆接触件上，其中，在所述半导体器件的高度方向上，所述栅极场板还设置在所述氮化铝镓层和所述抗反射涂层之间；以及/n蚀刻停止层，形成在所述抗反射涂层上。/n
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