[发明专利]用于清洗半导体器件结构的互连结构的通孔的方法

摘要

提供了用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方的第一介电层中形成金属层以及在金属层上方形成蚀刻停止层。蚀刻停止层由含金属材料制成。该方法也包括在蚀刻停止层上方形成第二介电层以及通过蚀刻工艺去除部分第二介电层以暴露蚀刻停止层并且形成通孔。该方法还包括对通孔和第二介电层实施等离子体清洗工艺，以及通过使用包括氮气(N₂)和氢气(H₂)的等离子体实施等离子体清洗工艺。本发明的实施例还涉及用于清洗半导体器件结构的互连结构的通孔的方法。

主权项

1.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：在衬底上方的介电层中形成金属层；在所述金属层上方形成蚀刻停止层，其中，所述蚀刻停止层由含金属材料制成；在所述蚀刻停止层上方形成第二介电层；通过蚀刻工艺去除部分所述第二介电层以暴露所述蚀刻停止层并且形成通孔，所述蚀刻工艺使用的蚀刻气体与所述蚀刻停止层的材料反应以形成金属氧化物；以及对所述通孔和所述第二介电层实施等离子体清洗工艺，其中，通过使用包括氮气(N₂)和氢气(H₂)的等离子体实施所述等离子体清洗工艺以去除所述金属氧化物。