[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610004045.5 | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106298683B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 施信益 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包含有一芯片，其具有一有源面以及一背面，相对于所述有源面；一模塑料，封盖住所述芯片的所述有源面以外的部分；一重分布层，设置在所述有源面上以及所述模塑料上，其中所述重分布层是电连接所述芯片；以及一应力缓和结构特征，埋设置在所述模塑料中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包含：芯片，其具有有源面以及与所述有源面相对的背面；模塑料，其封盖住所述芯片的除了所述有源面以外的部分；重分布层，其设置在所述有源面上以及所述模塑料上，其中所述重分布层是电连接至所述芯片的；多个沟槽，其位于所述模塑料的上部，所述多个沟槽中的至少一些直接位于所述芯片的所述背面的上方；以及应力缓和结构特征，其埋设在所述模塑料的所述多个沟槽内。
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