[发明专利]具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管有效
| 申请号： | 201580085500.2 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN108541342B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | G.A.格拉斯;K.贾姆布纳坦;A.S.墨菲;C.S.莫哈帕特拉;S.金;姜俊成 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于制造配置有降低寄生泄漏（即通过与晶体管相关联的源极区和漏极区之间的底层衬底的一部分的电流泄漏）的子鳍绝缘层的半导体晶体管器件的技术。通过制造衬底的子鳍区中的牺牲层在鳍的至少一个沟道区下面的晶体管来降低寄生泄漏。在处理期间，利用电介质材料整体或部分地去除并替换子鳍区中的牺牲层。该电介质材料增加鳍的对应源极和漏极部分之间的衬底的电阻率，因此降低寄生泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 降低 泄漏 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路晶体管器件，其包括：衬底；从衬底延伸的半导体鳍，该鳍包括：沟道层，其包括沟道区、源极区和漏极区；以及包括腔的子鳍绝缘层，该腔设置在沟道层和底层衬底之间，其中该腔由衬有电介质材料的壁来限定。
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