[发明专利]栅极下方具有子鳍状物电介质区的晶体管有效
| 申请号： | 201580084790.9 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN108292673B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | W·拉赫马迪;M·V·梅茨;G·W·杜威;C·S·莫哈帕特拉;N·M·拉哈尔-乌拉比;J·T·卡瓦列罗斯;A·S·默西;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例描述了一种半导体多栅极晶体管，所述晶体管具有从衬底延伸并包括子鳍状物区和有源区的半导体鳍状物。子鳍状物区可以包括栅极下方的电介质材料区以提供改进的隔离。可以通过利用电介质材料区替换栅极下方的子鳍状物区的部分，接着制造替换栅极结构，来形成电介质材料区。子鳍状物区可以由各种组合和浓度的III‑V族半导体材料构成。有源区可以由不同的III‑V族半导体材料构成。电介质材料区可以由非晶硅构成。可以描述和/或主张其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 下方 具有 子鳍状物 电介质 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体鳍状物，从所述半导体衬底延伸并包括与所述半导体衬底相邻的子鳍状物区和所述子鳍状物区的顶部的有源区；源极区和漏极区，形成于所述鳍状物的有源区中；栅极电极结构，形成于所述鳍状物的所述有源区上方并设置于所述源极区和所述漏极区之间；以及电介质材料区，形成于所述栅极电极结构的至少一部分下方的所述子鳍状物区中，其中，所述电介质材料区不延伸通过所述源极区的中线或所述漏极区的中线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580084790.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
