[发明专利]具有多层过滤器堆叠体的PSTTM器件有效
| 申请号： | 201580082564.7 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN108028313B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | K·奥乌兹;K·P·奥布莱恩;C·J·维甘德;MD·T·拉赫曼;B·S·多伊尔;M·L·多齐;O·戈隆茨卡;T·加尼;J·S·布罗克曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | MTJ材料堆叠体，采用这种堆叠体的pSTTM器件，以及采用这种pSTTM器件的计算平台。在一些实施例中，垂直MTJ材料堆叠体包括设置在固定磁层与反铁磁层或合成反铁磁(SAF)堆叠体之间的多层过滤器堆叠体。在一些实施例中，过滤器堆叠体的非磁性层包括Ta、Mo、Nb、W或Hf中的至少一个。这些过渡金属可以是纯的形式或与其它成分形成合金。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 过滤器 堆叠 psttm 器件 | ||
【主权项】：
1.一种设置在衬底之上的磁性隧道结(MTJ)材料层堆叠体，所述堆叠体包括：反铁磁层或堆叠体；多层过滤器堆叠体，其包括设置在两个非磁性材料层之间的第一磁性材料层，其中，至少一个所述非磁性材料层包括Ta、Mo、Nb或Hf中的至少一个；固定磁性材料层或堆叠体和自由磁性材料层或堆叠体，所述固定磁性材料层或堆叠体包括设置在所述过滤器堆叠体之间的一个或多个第二磁性材料层，所述自由磁性材料层或堆叠体包括一个或多个第三磁性材料层；以及第一电介质材料层，其设置在所述固定磁性材料层或堆叠体与所述自由磁性材料层或堆叠体之间。
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