[发明专利]用于器件制造的通过对氧化物层的原子层去除的过渡金属干法蚀刻有效
| 申请号： | 201580080061.6 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN107980170B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | P·E·罗梅罗;J·J·普罗姆伯恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532;H01L43/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 说明了用于器件制造的通过氧化物层的原子层去除的过渡金属干法蚀刻以及所得到的器件。在示例中，一种对膜进行蚀刻的方法，包括使包含过渡金属的膜的过渡金属物质的表面层与分子氧化剂物质反应。该方法还包括去除反应后的分子氧化剂物质的挥发性碎片以提供过渡金属物质的氧化表面层。该方法还包括使过渡金属物质的氧化表面层与分子蚀刻剂反应。该方法还包括通过挥发去除过渡金属物质的反应后的氧化表面层和反应后的分子蚀刻剂。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 器件 制造 通过 氧化物 原子 去除 过渡 金属 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种对膜进行蚀刻的方法，所述方法包括：使包含过渡金属的膜的过渡金属物质的表面层与分子氧化剂物质反应；去除反应后的分子氧化剂物质的挥发性碎片以提供所述过渡金属物质的氧化表面层；使所述过渡金属物质的所述氧化表面层与分子蚀刻剂反应；以及通过挥发去除所述过渡金属物质的反应后的氧化表面层和反应后的分子蚀刻剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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