[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201580077834.5 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN107431060B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 谷口敬 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提高半导体器件的可靠性。半导体器件的制造方法在由于形成由树脂构成的封固体的工序，树脂也进入形成于芯片搭载部的下表面的槽的情况下，通过清洗芯片搭载部的下表面的工序，除去埋入槽的树脂，在芯片搭载部的下表面形成镀覆膜的工序中，在槽的内壁也形成镀覆膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：(a)准备引线框架的工序，所述引线框架具有在下表面形成有第一槽的芯片搭载部和引线；(b)将半导体芯片搭载在所述芯片搭载部的上表面的工序；(c)经由导电性部件将形成于所述半导体芯片的焊盘与所述引线电连接的工序；(d)一边使所述引线的一部分和所述芯片搭载部的所述下表面露出，一边用树脂封固所述半导体芯片的工序；(e)在所述(d)工序之后清洗所述芯片搭载部的所述下表面的工序；以及(f)在所述(e)工序之后，在所述芯片搭载部的所述下表面上形成镀覆膜的工序，在由于所述(d)工序所述树脂也进入在所述芯片搭载部的所述下表面形成的所述第一槽的情况下，通过所述(e)工序埋入所述第一槽的所述树脂被除去，在所述(f)工序中，在所述第一槽的内壁也形成所述镀覆膜。
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