[发明专利]晶体图案形成方法、压电膜制造方法、压电元件制造方法及液体排放头制造方法有效
| 申请号： | 201580075603.0 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107251254B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 陈显锋 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L41/43 | 分类号： | H01L41/43;B41J2/14;B41J2/16;H01L21/316;H01L41/09;H01L41/113;H01L41/187 |
| 代理公司： | 31300 上海华诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 日本东京都大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | [问题]提供了一种用于在预定位置高精度地形成晶体图案的方法。[解决手段]晶体图案形成方法包括：用于在基板的表面中的一个上形成电磁波吸收层的电磁波吸收层形成处理；用于在电磁波吸收层上形成非晶形膜的非晶形膜形成处理；用于在基板的表面中的另一个上形成用于阻挡电磁波的电磁波阻挡遮罩的遮罩形成处理；以及用于利用电磁波从基板的表面中的另一个、穿过电磁波阻挡遮罩使基板被照射以使非晶形膜中的给定区域结晶的结晶处理。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 图案 形成 方法 压电 制造 元件 液体 排放 以及 | ||
【主权项】：
1.一种晶体图案形成方法，其特征在于，所述方法包含：/n电磁波吸收层形成处理，所述电磁波吸收层形成处理用于在基板的一个表面上形成电磁波吸收层；/n非晶形膜形成处理，所述非晶形膜形成处理用于在所述电磁波吸收层上形成非晶形膜；/n遮罩形成处理，所述遮罩形成处理用于在所述基板的另一个表面上形成用于阻挡电磁波的电磁波阻挡遮罩；以及/n结晶处理，所述结晶处理用于使所述基板从所述基板的所述另一个表面、穿过所述电磁波阻挡遮罩被所述电磁波照射，以使所述非晶形膜中的给定区域结晶，/n其中，在所述遮罩形成处理中，通过选择性地去除所述基板的所述另一个表面以形成凹槽结构，凹槽结构被形成在所述基板的所述另一个表面上。/n
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