[发明专利]晶体图案形成方法、压电膜制造方法、压电元件制造方法及液体排放头制造方法

权利要求书

1.一种晶体图案形成方法，其特征在于，所述方法包含：

电磁波吸收层形成处理，所述电磁波吸收层形成处理用于在基板的一个表面上形成电磁波吸收层；

非晶形膜形成处理，所述非晶形膜形成处理用于在所述电磁波吸收层上形成非晶形膜；

遮罩形成处理，所述遮罩形成处理用于在所述基板的另一个表面上形成用于阻挡电磁波的电磁波阻挡遮罩；以及

结晶处理，所述结晶处理用于使所述基板从所述基板的所述另一个表面、穿过所述电磁波阻挡遮罩被所述电磁波照射，以使所述非晶形膜中的给定区域结晶，

其中，在所述遮罩形成处理中，通过选择性地去除所述基板的所述另一个表面以形成凹槽结构，凹槽结构被形成在所述基板的所述另一个表面上。

2.一种压电膜制造方法，其特征在于，所述压电膜制造方法使用权利要求1所述的晶体图案形成方法，

其中，在所述非晶形膜形成处理中，非晶形复合氧化物膜被形成在所述电磁波吸收层上，以及

其中，在所述结晶处理中，通过使所述非晶形复合氧化物膜的给定区域结晶，形成包括复合氧化物晶体膜的压电膜。

3.根据权利要求2所述的压电膜制造方法，其特征在于，在所述结晶处理中，所述非晶形复合氧化物膜的所述给定区域被改变为ABO₃钙钛矿类型的晶体膜。

4.根据权利要求3所述的压电膜制造方法，其特征在于，在所述结晶处理中，在所述ABO₃钙钛矿类型的晶体膜的所述给定区域中，晶粒的颗粒尺寸被增大。

5.一种压电元件制造方法，其特征在于，所述压电元件制造方法使用权利要求2至权利要求4中的任何一个的所述压电膜制造方法；

所述压电元件制造方法包含在所述结晶处理之后，在所述复合氧化物晶体膜上形成上部电极的处理。

6.一种液体排放头制造方法，其特征在于，所述液体排放头制造方法用于使用由权利要求5的所述压电元件制造方法制造的压电元件来制造液体排放头。

7.一种晶体图案形成方法，其特征在于，所述方法包含：

非晶形膜形成处理，所述非晶形膜形成处理用于在由金属制成的基板的一个表面上形成非晶形膜；

遮罩形成处理，所述遮罩形成处理用于在所述基板的另一个表面上形成用于阻挡电磁波的电磁波阻挡遮罩；以及

结晶处理，所述结晶处理用于使所述基板从所述基板的所述另一个表面、穿过所述电磁波阻挡遮罩被所述电磁波照射，以使所述非晶形膜中的给定区域结晶。

8.根据权利要求7所述的晶体图案形成方法，其特征在于，所述金属基板的熔点高于所述非晶形膜的结晶温度。